Abstract
在光纖通訊領堿中，1.3或1.55μm之長波長半導體雷射是非常重要的一環。但是這類元件在高溫時之元件表現不是完全令人滿意，而各種取而代之的元件材料都在不斷被開發中，其中之一即是含氮Ⅲ-Ⅴ化合物。 在此我們對GaNAs及AlGaNAs做個研究與嚐試，我們以ECR Plasma-Enhanced MBE成長樣品；再以在X-ray做繞射量測，觀察到 Pendellosung fringes，藉此推算磊晶結果的好壞甚至於成長的膜厚，而且其準確性亦相當高，並藉由X-ray dynamical theory的電腦模擬，也能得知Al、N的含量多寡，並由此印證Zincblende GaN、AlN的晶格常數。另外也以Photoluminescence及FT-IR量測光學特性，我們也由其中發現也許AlGaNAs的發光波長可能不只一處…。 整個結果看來，Al含量的增加，會令晶格常數增大，而增加N的含量則會讓晶格常數變小；不過我們可調整Al、N的含量使得其晶格常數與基板的之差可以減到最小，甚至於完全匹配，但是它的發光波長就又是該注意的了。整個研究仍未能窺其全貌，期待來人再加以研究。