Abstract
摘要 本論文利用CMOS反相器高增益、低耗功率特點，採用主動式負載，配合國內UMC 0.5μm DPDM製程技術，設計3V單電壓、增益36dB、48.96μW低耗功率、高頻3dB轉折頻率1.44MHz、低頻3dB轉折頻率10.5KHz的高頻寬、輸入電阻為 Ω、輸出電阻19.6721KΩ、輸出線性範圍為300mV~0V，輸出最大範圍為889mV~0V的輻射信號放大器。利用輻射信號放大器為矽半導體CMOS信號處理電路主體，設計前置放大器與線性放大器。整體矽半導體CMOS信號處理電路為3V單電壓、增益77.8dB、耗功率97.92μW、高頻3dB頻率為1.47MHz、低頻3dB轉折頻率14.9KHz、面積大小為217.4μm×113.1μm、溫度變化範圍為400C~00C、電源電壓變化範圍3.5Ｖ∼2.7Ｖ，具有單電壓、低耗功率特點。且CMOS信號處理電路採主動式負載取代電容及電阻設計，無論面積、體積皆小很多。因此該CMOS電路具有單電壓、低耗功率、小面積、小體積、攜帶方便特點。