Abstract
在近代科技發展中，半導體磁場偵測器，在自動控制系統中擔任一個非常重要的角色，雖然近來半導體磁力偵測器之改良是在使用高移動率之材料和製造技術上之突破，但在許多固定用途中，使用矽晶材料追求高靈敏度，仍是最終之目的地。本文中敘述之〞雙重擴散差分放大磁場偵測器〞是以一九七二年Takayina和Fujikawd所發表之〞差分放大磁場偵測器〞為藍圖，期以更簡單之結構和製造方法加以改進，電路基本原理是將由磁場和霍爾效應所引起之霍爾電壓送至差分放大器之輸入級加以放大後、在集極之輸出端得到輸出信號，由本文中所敘述之方法，輸出信號在每一千高斯之下可得到6.2 毫伏，但是經由實證證明，在選用適當電阻係數之材料下，古每一千高斯下，輸出信號可達到一至二伏特，從此處證明，即使不用複雜的結構一樣能得到很高之靈敏度，相信這是這篇研究研究報告的最大貢獻。