Abstract
隨著電子產品日益要求輕薄短小，因此，電源供給就成了電路設計上的一大考量，許多傳統生產電池方法均已達到技術之極限，難以做到毫米以下，而且生產成本將大幅度上升，而唯有以半導體IC工業常用製程，能夠符合需求，無論是 CVD 或 PVD，均可輕而易舉製作出微米等級，並可直接與電子元件相連接，獨立提供元件電能所需，尤其適合小電流或低功率消耗的元件，例如：微機電系統（MEMS）、記憶體備用電源（Memory Back-up Power Source）。本實驗研究不同正極材料與電解質，以射頻磁控濺鍍方法在 ITO/glass基板上鍍製薄膜，正極材料種類為常見的 LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4以及LiCo0.2Ni0.8O2，而電解質為延續本實驗室先前所研究的Li2.8(In0.9Ti0.1)2(PO4)3，導電度為9.39*10-5S-cm-1。結果顯示在適當濺鍍操作參數下，上述正極材料LiNiO2及LiCo0.2Ni0.8O2可在ITO/glass基板上成長出理論上有利於鋰離子擴散之優選方位（110）之薄膜。ICP-AES元素定量分析結果顯示，薄膜實際組成與理想組成相近，薄膜表面平整，並無裂縫或針孔，而且，導電性符合實際需求，此系列正極材料搭配適當固態電解質，將有機會可以作為未來薄膜鋰電池系統研究之考量之一。