Abstract
本論文的目的在於探討共面傳輸線在不同介電常數的基板上, 其傳輸線特 性之比較。論文的第一部分是利用光致電導閥的量測系統, 量測的樣品有 三種, 第一種樣品是利用分子磊晶術在砷化鎵的基板上成長低溫砷化鎵。 第二種樣品是利用離子佈植的技術將氧離子植入SOS 上層的矽薄膜磊晶層 。第三種樣品是利用ELO(Epitaxy Lift-off) 的技術, 將利用分子磊晶術 成長在砷化鎵基板上的低溫砷化鎵轉移至玻璃的基板上。將這些完成的樣 品, 利用光致電導閥作電脈衝的量測, 並利用傅立葉轉換, 將電脈衝訊號 轉換成頻率響應( 頻率範圍為 100 GHz ~ 1 THz ), 分析各頻率下的共面 傳輸線特性, 包括衰減情形與色散現象。第二部分是我們利用惠普公出產 的向量網路分析儀, 作較低頻頻率範圍的量測(45 MHz ~ 30 GHz ),量測 的參數為S21 參數, 由此參數, 我們可以萃取傳輸線的特性參數。經由一 些關於共面傳輸線結構的半經驗公式的計算, 並利用這些計算分析我們的 實驗結果, 判斷影響傳輸線特性的原因。經由這兩種量測結果之綜合分 析, 我們可以知道將共面傳輸線做製作在低介電常數的基板上, 可以得到 較佳的傳輸特性, 包括較小的損耗, 較大的頻寬, 以及色散現象的減少。 最後, 我們在砷化鎵的基板上成長oxide/nitride/oxide 薄膜, 將薄膜下 砷化鎵基板全部蝕去, 這種基板適於製作特性較佳的傳輸線。我們在此種 低介電常數的基板上完成傳輸線的製作, 並對其特性加以分析。在未來的 日子裡, 我們將對此種低介電常數的基板, 找出一最佳化的製程, 以適用 於MMIC的製程。