Abstract
本研究利用熱裂解化學氣相沉積法成長奈米碳管。催化劑薄膜是利用磁控濺鍍的方式製備，配合還原氣氛/碳源流量比、反應壓力和溫度等調控，在基板(矽、二氧化矽或金屬電極層)上成長結晶性良好的單壁奈米碳管(SWNTs)。研究主要探討如何減小SWNTs管徑的分佈範圍，我們利用共濺鍍的方式製備催化劑薄膜，經由拉曼光譜和HRTEM的分析，證明所生成的SWNTs主要的管徑為1.24 nm。 本研究亦探討鋁承載層對SWNTs成長的影響，實驗中主要討論(1)不同鋁膜厚度對SWNTs成長的比較；(2)鋁表面的粗糙性質對SWNTs成長的影響。 在建立SWNTs的製程以及了解相關催化劑的作用後，研究的主題導向如何控制定量及定位的側向成長SWNTs，以應用於未來的電子元件上。