Abstract
摘要 在本篇論文中的第一部份，我們可以利用蒸鍍鐵的薄膜當作催化劑，在矽基板（silicon wafer）上順利的成長出垂直式奈米碳管，而且也可以藉由將催化劑圖案化，製備出任意圖案的垂直碳管，但是矽基板的導電度與金屬還是有相當程度的差異，因此我們在蒸鍍鐵薄膜前多鍍上一層鉬的導電金屬層，並試著在其上成長垂直奈米碳管，不過結果並不如預期般的理想，因此我們尋求另一個方式，在導電層上成長垂直奈米碳管。 在第二部分中，我們捨棄使用蒸鍍鐵當催化劑，並發展出一個全新的催化劑製備方式，目前文獻上還沒有任何報導使用此方式來製備催化劑成長垂直奈米碳管。我們利用鐵的鹽類（如，三氯化鐵）溶於高分子溶液中（如，PMMA或PVA）當作催化劑，以旋轉塗佈的方式塗佈在矽基板上，也可以順利的成長出垂直奈米碳管。若將此催化劑塗佈在已蒸鍍鉬導電金屬層的矽基板上時，結果也可順利的成長出垂直奈米碳管，這意味著這個方法將比使用蒸鍍鐵當催化劑有更廣的應用性，而且大幅的降低製程成本。 論文最後的部分是討論如何將垂直碳管有效的固定在基板上。我們比較了PMMA、PVA和PS三種固定垂直碳管的結果，發現適當的調控聚苯乙烯（PS）的濃度，可以得到最好的效果。