Abstract
近年來，在矽晶片上成長鍺及砷化鎵受到許多人的注意。一方面是因為鍺、矽異質接面較為簡單，利於半導體異質接面的研究，另一方面則是它們具有製成新元件的潛力。在矽晶片上成長高品質的鍺磊晶層可利於砷化鎵磊晶層的成長；不但可大幅降低高效率砷化鎵太陽電池的成本，並可提供把矽質電路和砷化鎵光電元件積體化的機會。本研究利用真空蒸鍍，固相磊晶法和化學氣相磊晶法來成長鍺，目前以後者可成長單晶鍺膜於矽晶片上。鍺磊晶層的品質和磊晶時的溫度、壓力及其厚度的關係本文均以討論。各種電性測量，包括電流─電壓，電容電壓，霍爾設應及深層缺陷分析均用以分析鍺磊晶層及鍺矽異質接面二極體的特性、掃瞄式及穿透式電子顯微鏡則用以分析材料結構。此外，在有鍺磊晶層的矽晶片上成長砷化鎵的結果亦於本文討論之。