Abstract
在經過硝酸處理的n型(100)矽基板上，透過原子層沉積法沉積氧化鋁做為鈍化層，透過600 oC退火處理，使矽基板載子生命週期由35 □s大幅提升至122s。在高溫下，鋁擴散進入化學氧化SiO2結構，形成SiAlxOy， 使帶負電荷鋁空缺在氧化鋁結構內形成。藉由穿透式電子顯微鏡(TEM)影像以及X射線光電子能譜儀(XPS)，鋁元素2p訊號佐證鋁空缺形成，使得矽基板少數載子生命週期提升。在經過硝酸處理的n型(100)矽基板上，透過原子層沉積法沉積氧化鋁做為鈍化層，透過600 oC退火處理，使矽基板載子生命週期由35 □s大幅提升至122s。在高溫下，鋁擴散進入化學氧化SiO2結構，形成SiAlxOy， 使帶負電荷鋁空缺在氧化鋁結構內形成。藉由穿透式電子顯微鏡(TEM)影像以及X射線光電子能譜儀(XPS)，鋁元素2p訊號佐證鋁空缺形成，使得矽基板少數載子生命週期提升。在經過硝酸處理的n型(100)矽基板上，透過原子層沉積法沉積氧化鋁做為鈍化層，透過600 oC退火處理，使矽基板載子生命週期由35 □s大幅提升至122s。在高溫下，鋁擴散進入化學氧化SiO2結構，形成SiAlxOy， 使帶負電荷鋁空缺在氧化鋁結構內形成。藉由穿透式電子顯微鏡(TEM)影像以及X射線光電子能譜儀(XPS)，鋁元素2p訊號佐證鋁空缺形成，使得矽基板少數載子生命週期提升。