Abstract
本論文的研究方向主要是以融熔石英為基板，把鍺離子佈植到試片表面，由專門分析離子佈植的模擬軟體(SRIM)模擬實際佈植情況的結果，選擇鋁金屬薄膜當作遮罩並用金屬反應式離子蝕刻系統(Metal RIE system)蝕刻鋁膜，在試片表面上製作出平均寬度約為8um的通道波導遮罩結構，再把高能量(5MeV)的鍺離子束入射到試片表面，成功的在試片表面製作出鍺離子佈植通道波導。 利用模擬波導的軟體Beam_PROP 5.0C，假設佈植後鍺離子分佈最多的深度位置與折射率變化最多的深度位置一致，把佈植後的的波導模型化，再以由菱鏡耦合儀所量測到的鍺離子佈植平面波導量測數據為核心，推算在通道波導中光場前進的情況，來做QPM-SHG的轉換週期預估。 配合本實驗室中的熱極化誘導裝置，在已經有通道波導的試片表面上產生出非線性區域，再利用266nm波段的UV光源做週期性非線性強度抹除，成功的在通道波導上把1064nm轉換成532nm波段的綠光，製作出可倍頻轉換的鍺離子佈植通道波導，在本研究中產生出約1.7 u Watt的倍頻光源，成功的在這類的材料中把轉換效率提升，也應可以將這樣的技術應用在日後矽基板上光子電路上，實現光子電路上光與電的交互作用的目的。