Abstract
本文提供對六角形及正方形垂直雙擴散金氧半功率晶體的設計與製造方法，一個垂直擴散金氧半晶體起動電阻和崩潰電壓的模型，被用來在一個固定的電壓之下，去變化幾何形狀而得到一個最低的起動電阻、元件的製造是經由雙布值自行校正複矽晶閘技術而做到通道長度大約一微米左右，史丹佛大學的程序模擬程式被用來計時設計的元件製造提供程序上的模擬，這里並提出一個對垂直雙擴散金半晶體簡單的分析並對其電流－電壓特性的計算。
- Title
- 垂直雙擴散全氧半功率電晶體的設計輿製造
- Translated title
- 垂直雙擴散全氧半功率電晶體的設計輿製造
- Creators
- 熊福嘉 (Author)
- Contributors
- 黃瑞星 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English