Abstract
中國灰鼠（Ｖ７９－ＴＨ）細胞（由Ｖ７９－Ｓ１７１在清華大學ＴＨ再度培養之新品系）在照射前先經４４Ｃ加熱１０分鐘，可使細胞對輻射線增加敏感度。種植非同化期Ｖ７９－ＴＨ細胞之培養瓶沈於４４Ｃ水浴１０分鐘，並不會引起染色體斷裂。但重複此項加熱處理５次，才能觀察到輕微的染色體斷裂。由力熱所引起的染色體斷裂與游離輻射所引起的染色體斷裂在顯微鏡下觀察並沒有差別。輻射線伽瑪線總劑量１，０００雷得，以每次２００雷得重複５次照射非同期化Ｖ７９－ＴＨ細胞，其所造成的染色體斷裂較一次旋以１，０００電得所引起的染色體斷裂數減少很多。在分次照射前，假如細胞再經４４Ｃ加熱１０分鐘會增加染色體斷裂數。