Abstract
本論文主要探討以化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition, CVD)，於不同基材溫度所製備之銅膜，鍍覆在鍍有擴散阻礙層TaN（Tantalum Nitride）的矽基材上之應力行為。其次探討化學氣相沈積銅膜，其鍍覆在矽與鍍有擴散阻礙層的矽基材上之應力行為。其中擴散阻礙層為Ta（Tantalum）、TaN與TiN（Titanium Nitride），其乃以濺鍍法(Sputtering)製備；應力量測儀器為真空彎柄儀(Bending Beam Apparatus)，薄膜之表面結構使用掃瞄式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)觀察，薄膜之結晶結構使用X光繞射儀(X-ray Diffractometer, XRD)測定。