Abstract
本論文主要探討利用RF磁控濺鍍法在塑膠基板上鍍覆透明導電膜(ITO)之性質，並與玻璃基板做比較。塑膠本質上與玻璃具有很大差異，如在耐熱及熱膨脹係數上無法與玻璃相比，塑膠基板與ITO的熱膨脹係數差異會造成薄膜熱應力問題，使得在濺鍍時會造成ITO薄膜破裂；而耐熱性的不足會造成導電性不佳。為解決薄膜熱應力的問題，可先在塑膠基板上鍍上一層似非晶質ITO再鍍上多晶ITO；這一層似非晶質ITO當作ITO與塑膠基板的緩衝層，可提高濺鍍溫度，進而提升ITO薄膜的導電性質。實驗結果顯示，在濺鍍功率15W、濺鍍分壓2×10-2 torr、濺鍍時間20min可成長非晶質ITO薄膜，此薄膜為島狀(island)結構，可當做不錯的緩衝層。在濺鍍功率150W、濺鍍分壓4.5×10-3 torr、濺鍍時間4min可成長多晶ITO薄膜。在塑膠基板上若是直接鍍上多晶ITO則會因應力問題而造成薄膜破裂，若是先鍍上非晶質ITO當緩衝層(buffer layer)再鍍上多晶ITO則薄膜不會破裂，是因為緩衝層的島狀結構可有效的把應力分散掉使得殘留應力變小，其電阻係數可達4.88×10-4Ω-cm，在可見光範圍的穿透率可達80?90%，而在玻璃基板上直接鍍上多晶ITO薄膜則不會應力的問題，其電阻係數可達4.32×10-4Ω-cm，在可見光範圍的穿透率可達80?90%，若進一步在濺鍍時基板加溫或濺鍍後退火溫度在200℃以上，電阻係數可達1.13×10-4Ω-cm。