Abstract
因申請專利緣故，資料延後公開
- Title
- 增強型閘極掘入式氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半高電子遷移率電晶體之研製
- Translated title
- 增強型閘極掘入式氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半高電子遷移率電晶體之研製
- Creators
- 劉亞弦
- Contributors
- 黃智方 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2014