Abstract
本論文是利用AFM研究多孔矽的表面形態與形成，並利用PL研究多孔矽的螢光特性。我們以(111)晶向n-type摻雜磷(P)之light-doped矽晶片(阻值為0.005∼0.01Ω-cm)為基材製作多孔矽。所有製作與量測均在室溫下進行。改變蝕刻時間觀察多孔矽在AFM下的表面形態，以及其PL光譜。量測保存在空氣以及酒精中多孔矽之PL光譜隨時間的變化。 結果可以觀察到：多孔矽隨著蝕刻時間的增加而逐漸形成孔洞。蝕刻時間越長，做出的多孔矽所發出的螢光越強，且偏向於較短波長。多孔矽表面型態的變化與Beale模型預測結果相似。 另外，多孔矽的光譜隨著放置時間的增加而有藍位移，強度則是先減弱再漸升。與T. Maruyama等人的研究結果類似。 而未經雷射光照射的多孔矽與經與經雷射光連續照射24小時所發出之PL光譜有顯著的不同。 多孔矽放置於酒精中，其PL光譜隨時間先增強再逐漸減弱，並且不斷地有紅位移的情形發生。與保存在空氣中之結果大不相同。