Abstract
本篇論文主要是探討矽晶體以電化學氧化腐蝕成多孔矽之螢光機制及其蕭特基接面的性質。矽的能隙只有 1.05 eV，而且為非直接能隙，一般情況不會發出螢光。但經過以 HF：C2H5OH = 1：1為電解液，作電化學氧化腐蝕後在其表面形成多孔矽，經紫外光或藍、綠光的照射下會發出紅光(約1.7 eV)。若在多孔矽表面鍍上薄金屬或可見光可穿透的金屬ＩＴＯ薄膜，接上正向偏壓時，會有電致螢光(EL)的產生，由於矽材料本身便宜，其物理性質的瞭解對日後發光二極體的應用有非常大的助益。本篇論文從加熱氧化多孔矽的螢光光譜和紅外光吸收光譜的變化，來研究其螢光機制。另外也以多孔矽粉末和包含多孔矽粉末的玻璃物為對象，探討其加熱氧化後的現象，實驗包括 TEM，FTIR，Raman 等部份。對蕭特基接面性質研究則是在多孔矽上鍍ＩＴＯ，在其上下端接可變的電壓值，測量其I-V 曲線。 對實驗結果本論文試圖提出多孔矽螢光機制的解釋為多孔矽剩下部份的大小決定螢光的顏色，而其表面所鍵結的原子則是決定螢光強度的大小。