Abstract
本論文的目的在於以電子順磁共振儀來研究多孔矽，了解多孔矽之順磁中心之結構，並且了解溫度對多孔矽缺陷之影響，以及在不同溫度下的多孔矽鍵結變化，以幫助我們對多孔矽營光機制的了解，使我們對多孔有更進一步的了解。 開始我們以理論模擬的方式建立多孔矽缺陷之順磁中心模型，以理論計算的方式來模擬實驗情況。接著製作多孔矽樣品，以電子順磁共振光譜儀來觀察多孔矽缺陷的鍵結結構。再以最小平方法來對光譜譜線作曲線擬合，和之前所建來的模型比較，印證多孔矽之順磁缺陷的結構。 接著在不同溫度下，不同環境下，對多孔矽作缺陷濃度的量測，及FTIR光譜的量測，觀察其鍵含變化。 最後以對多孔矽缺陷結構的了解來推論多孔矽之結構。並了解氫氣在多孔矽中扮演著重要的角色。