Abstract
多孔矽應用在發光元件上的研究近年來引起有些人的興趣, 有不少的論文發表在各大小期刊上。一大部份是在研究光激發光(PL)的現象, 也有一部份是著重在電激發光(EL)元件上。且由於在實際的應用上電激發光似乎是比較切合實用的範疇。也因此, 我將論文的重點著墨於電激發光的元件製作上。先嘗試以多孔矽結構來製作簡易的電激發光多孔矽二極體, 等待技術成熟後以期能開發應用在更大型的發光平板上, 如平面顯示器, 冀使能研展出更新壹代的平面顯示器。在論文中, 我嘗試用多種不同的蝕刻成多孔矽的蝕刻溶液的配方方法來推論和比較其形成多孔矽的機制和型態及觀察它們的發光情形。以電化學陽極氧化(anodization) 電解蝕刻所需配製的蝕刻溶液包括氫氟酸以及乙醇, 並且在蝕刻時通入電流源。我嘗試用P型或N 型的單晶矽來形成多孔矽的結構, 並做一比較及探討其多孔矽的結構。在蝕刻多孔矽之後, 先以電解質溶液做為電極, 來觀察此多孔矽結構的電激發光現象。而以此所觀察到的電激發光現象來推測用多孔矽結構來作為電激發光元件的結果。最後, 在多孔矽結構的試片正面以濺鍍機鍍上一層薄的氧化銦錫薄膜作為電極。這是一種透明的金屬電極, 其一方面是來作為電極, 另一方面是讓其外在的發光效率能更好。由於氧化銦錫薄膜在多孔矽結構上會很脆弱, 因此最後在氧化銦錫週邊以蒸鍍機再鍍上一層鋁以避免探測針在量測時破壞氧化銦錫電極的結構。加入電流源並量測其電流電壓曲線和觀察發光情形。