Abstract
在半導體工業中, " 矽 " 是主要的核心.因其價格低廉,製程技術完備,所以一直是半導體工業中最重要的材料.但由於矽本身是一種非直接能隙的半導體,在一般室溫情形下並不會有螢光(luminescence)產生,故其不具備有製作發光元件的能力.而在矽晶片的取得容易和價格比一般發光元件所需材料價格便宜之優點下,研究以矽為基礎的發光元件成為我們的主要目標. 本論文之目的在於介紹多孔矽之光激螢光光譜,拉曼光譜,電壓-電流特性曲線及製備過程,並針對金屬與多孔矽形成之肖特基二極體作研究,求得金與多孔矽之肖特基位能障值.同時,因多孔矽在常溫下會發出螢光,故在多孔矽的螢光機制上我們 嘗試提出解釋.最後,由於發現電壓-電流曲線上會有雙穩態(Bistable)的現象,故我們提出載子注入多孔矽至某一深度而多出一層的結構來解釋之.