Abstract
對於矽化製程而言，鈷矽化物（CoSi2）因為擁有低電阻率（< 20□□-cm）以及在矽基材上高磊晶成長，並且有機會能夠取代TiSi2在高的接觸縱深比（aspect ratio），是目前最受歡迎的材料。本研究中利用電子束蒸鍍（EBE）技術，在典型的基本工作壓力10-6 torr下，依序沉積Co/Ti/Al薄膜。Ti在整個反應過程中扮演移除氧（Oxygen）的角色，而Al的目的則在於降低反應溫度以及加強CoSi2的磊晶程度。本實驗主要是使用J2010F場發射穿透式電子顯微鏡，並且配合GIF以及EDX研究Co（5nm）/Ti（10nm）/Al（5nm）/n-type Si（100）在高溫退火後CoSi2/Si的介面形成以及成長機制。分析樣品在純氬氣的氛圍下，以400℃, 550℃, 650℃, 750℃ 和 850℃恆溫退火一小時。退火溫度低於650℃所成長的析出物厚度小於15nm，而且成份不均勻。退火溫度高於750℃的試片，在矽基材上的析出物成長為厚度大約50nm，並且以島狀（Island）分佈。析出物的結構經由繞射圖形的分析為具有相同[111]晶軸的CoSi2結構。溫度為850℃的試片，其磊晶的程度（Type A）估計已達到80％。本研究之成果建立詳細的擴散以及反應機制。