Abstract
我們採行離軸濺鍍和雷射佈值二種機制成長YBCO薄膜，並測試和發展多層膜線路技術。離軸濺鍍部份，比較MgO、LAO、SrTiO3三種基板的優異性。已成功在LAO基板找出最佳成長條件，並找出MgO、SrTiO3基板薄膜改善的方向，表面起伏均小於100A。隔層跨接部份，最上層YBCO微橋呈半導體行為。雷射佈值部份，已找出最佳成長條件，Tc達90.5K。in-situ成長的多層薄膜完全c-axit向上。隔層跨接YBCO微橋均呈半導體行為，但已有的transition現象。化學研磨拋光後，YBCO薄膜表面起伏和顆粒均有改善，但影響接續薄膜的成長。