Abstract
多晶矽內的晶粒界能態分佈，雖經許多方法的設定和量測，但仍眾說紛耘，莫衷一是。本文擬採實驗之法，以霍耳效應測遷移率等電性，和深層能階暫態譜去求其分佈，並求其與巨觀電性遷移率間之結連。本文中乃使用低壓化學蒸氣附著法長出之多晶矽膜，將經不同的兩係列處理過程，在A 系列中，樣品先經高溫之熱處理，而B 系列中則不先經此過程。在結論中，我們發現先經熱處理之樣品，其霍耳載子濃度和遷移率均較高，其原因可歸於晶粒之長大，亦發覺在室溫時，理論得到之遷移率約等於實驗中所量到的。但在低溫時，卻有大的偏差。本文將之歸因於不知名的缺陷散射，另外在先經熱處理之樣品中，有砷－－缺陷之複合物出現，亦將做解釋。