Abstract
利用熱燈絲化學氣相沈積法(HFCVD)所成長的p型多晶鑽石薄膜，製作鋁/二氧化矽/多晶鑽石薄膜MOS結構。可是解決利用電漿輔助化學氣相沈積法(PECVD)成長氮化矽膜，品質不純含有氧的問題。但實驗發現，鋁/二氧化矽/多晶鑽石薄膜MOS結構的漏電流大，且對二氧化矽層進行退火，無法有效改善鋁/二氧化矽/多晶鑽石薄膜MOS結構的電性表現。利用熱燈絲化學氣相沈積法(HFCVD)所成長的氫終結表面多晶鑽石膜所製作的鋁/氫終結表面之多晶鑽石膜金半場效電晶體，可由閘極的電壓影響從汲極到源極電流的大小，但無法完全截止電流流過，且閘極漏電流極大，而電流-電壓特性曲線無法呈現飽和及夾止的現象，且重現性不高。