Abstract
由於鑽石具有很多優異的性質，利用化學氣相沈積法 (chemical vapordeposition )合成的多晶鑽石薄膜被認為可用來製作高溫電子元件的理想材料。最近幾年來，有很多人投入鑽石薄膜電性應用的研究。到目前為止，合成多晶鑽石膜的電性仍與製程有很大的關係。而鑽石薄膜若想應用在電子元件方面，其電性的可靠性是非常重要的。在本文中，我們以BF2+離子佈植的多晶鑽石薄膜作為研究的對象，以鈦╱金金屬薄膜作為與鑽石薄膜接面的歐姆電極，探討佈植的多晶鑽石鏌其電性的可靠性，研究其在真空中不同的溫度下及在不同的氣體中，其電阻值的變化。其結果為(1)BF2+離子佈植多晶鑽石薄膜曝在空氣中，其電阻值會隨著時間增加而增加。(2)將BF2+離子佈植多晶鑽石薄膜在真空中用高溫熱處理後可得穩定可信的電阻值。(3)電阻會漂移的問題歸因於被trapped在離子佈植鑽石膜中的氣體。(4)在氫氣、氮氣、氧氣的氣氛中，離子佈植多晶鑽石薄膜的電阻隨時間增加而達一飽和值，但在空氣中，其電阻卻沒有飽和值。而在真空中，其效應剛好相反，電阻隨時間增加而減少。