Abstract
蝕刻過程中電漿參數的變化，對多晶矽在氯氣電漿中蝕刻率穩定性有相當重要的影響。電漿參數中，又以正離子通量與射頻偏壓為影響蝕刻率的關鍵參數，如可控制此關鍵參數，即可有效穩定蝕刻率。在本研究中，利用連接在靜電式晶圓座上之射頻阻抗計所量測的離子電流與射頻偏壓，作為受控參數，比較開迴路控制與閉迴路控制系統下的蝕刻結果。致動器的部份為兩部13.56 MHz的射頻功率產生器，一部為電漿功率，可調整離子電流值，另一部為射頻偏壓功率，可調整射頻偏壓值。實驗結果顯示閉迴路控制可有效地補償不穩定的腔體狀態，與消除改變壓力狀態(10→12mTorr)等微擾對蝕刻率所造成的影響。此外，使用二因子設計法取得離子電流與射頻偏壓對蝕刻率的改變值，並使用設計法的結果，設定電漿參數以取得設定的蝕刻率。