Abstract
在本文中, 我們用包括函數 (envelope function) 的漸近法去解超晶格 (superlattice)中的物理特性, 我們解出的由量子井 (quantumwell) 產生的次能帶(subband)的位置并且計算出它們隨電場變化的情形, 同樣的原理可以算出超晶格在同能帶中次能帶間的吸收係數。并且可以看到次能帶隨barrier和well長度變化的情形。我們分析了多重量子井的一種元件應用--多重量子井紅外線偵測器。在講座其元件基本操作原理之后, 我們分析得出此種元件量子井的井長最好在4．5nm到7．5之間能有最好之操作特性。太長或太短的量子井都會有不利的影響。如果要調整吸收波長, 則可以改變Al在AlGaAs的量。最后我們用分子束磊晶系統去成長多重量子井。我們也敘述了用分子束晶磊系統長晶的條件和方法。在成長之后并用傳利葉轉 外線光譜(Fourier Transform InfraredSpectroscopy) 以偵測次能帶間的能量差, 帶核驗理論的計算。