Abstract
在本論文中，探討大角度 P 型雜質包覆佈植 (LAP)對快閃可擦拭、可程式唯讀記憶體 (Flash EPROM) 之效應。由我們實驗證明，使用大角度 P型雜質包覆佈植會大幅增快寫入速度 (programming speed)及降低穿透崩潰(punchthorugh breakdown)之可能；然而，引進大角度 P 型雜質包覆佈植卻會造成在汲極及通道間有較高的硼 (boron) 雜質濃度，因此對長期電荷貯存及元件可靠度產生嚴重影響。 我們將應用不同的電性特性分析去探討採用大角度 P 型雜質包覆佈植之優劣點。大角度 P 型雜質包覆佈植已被驗證對穿透崩潰有極佳的防阻能力，因此對深次微米快閃可擦拭、 可程式唯讀記憶體元件縮小能力有非常重要的影響；在本論文結果中，45度傾斜角 P 型雜質包覆佈植僅管有最快的寫入速度, 但因它的讀出電流衰減，汲極/讀出干擾，提早閃回崩潰等均較其它角度更為嚴重，因而不是我們理想中的最佳化角度；對0度以及 30度這範圍的傾斜角來講， 它們的元件可靠度及效能均在我們的理想目標及限制內；更進一步來說，由於 0 度傾斜角比其它角度具較高的讀出電流因而較被喜愛。在考量線路及元件上的性能及可靠度問題後，我們認為 0 度傾斜角 p型雜質包覆佈植是未來快閃可擦拭、可程式唯讀記憶體繼續微小必須且是最佳化的角度。