Abstract
在固態氖,氬或氪間質中的OClO,選擇其Ａ能態的電振能階做激發,照光後 會產生ClOO.由 ＩＲ吸收譜線在1100和1440 cm-1附近的變化,可分別觀察 到在間質中處於各種不同晶格位置之OClO的減少,以及ClOO的產生.本實驗 將對ClOO的兩個主要的吸收位置(在固態氬中為1416.7和1442.5 cm-1,在 固態氪中則為1412.1和1440.7 cm-1)的轉換情形進行討論.實驗中改變不 同的照光時間直到大約有20~60%的OClO被光解後,可得到吸收度Ａ(OClO) 和Ａ(ClOO)隨時間變化的關係圖,由此圖可進一步瞭解在不同間質中,ClOO 的生成相對於OClO的消失之間的轉換比.OClO在溫度5Ｋ的氬間質中,以某 一特定的電振能階做激發,照光後可觀察到site selectivity,意指OClO的 某個特定位置之ＩＲ吸收譜線減小,同時會對應到ClOO的某個位置之吸收 譜線強度增強.OClO在氪間質中的光解除了所產生的ClOO以在1412.1 cm-1 的譜線為主之外,其他皆與在氬間質中相同.另外激發OClO在Ａ能態的ｖ3 振動模,發現OClO的光分解被加速.由於在不同間質中,OClO的光化學行為 會有所差異,因此本實驗也將探討間質主體對OClO的光解反應之影響,並且 配合前人的理論計算結果,推測OClO在間質中可能的光解途徑.