Abstract
本實驗是在線型大氣電漿系統中，使用六甲基矽氧烷(Hexameth-yldisiloxane，HMDSO)在矽晶上鍍上SiO2鈍化膜，期望能夠改善矽晶表面電子電洞對再結合的情形。對於SiO2鈍化膜的研究方面，有對熱退火(annealing)處理前及處理後的試片進行lifetime、Si-SiO2介面上的traps密度(interface trap density)以及SiO2膜內固定電荷密度(fixed charge density)的量測。同時對於鍍膜時，有無添加氧氣的鈍化效果也作了探討。