Abstract
吾人在大電流離子佈植矽退火處理過程發現有反退火現象，此一現象在小電流離子佈植矽退火處理中不易出現，吾人利用拉曼散射及雜訊量測中發現有結晶斷層存在Ｐ－ｎ介面附近，此一結晶斷層發現足以說明１╱ｆ雜訊何以與結晶斷層濃度成反比關係。
- Title
- 大電流離子佈植矽之缺陷探討
- Translated title
- 大電流離子佈植矽之缺陷探討
- Creators
- 劉得民 (Author)
- Contributors
- 林敏雄龔正 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English