Abstract
射頻（RF）電容式偶合電漿源（Capacitively Coupled Plasma）目前在積體電路製程中已被廣泛的使用。一般傳統電容式電漿源缺點在於電極板尺寸太大造成電漿不均勻，造成薄膜品質不佳。因此本實驗利用“分佈式偶合電漿”之概念，設計電極為梳型結構的電容式偶合電漿源系統，以達到大面積均勻度良好之電漿系統，進而改善薄膜品質。 電漿密度及電漿溫度是薄膜製程中重要的電漿參數。此篇論文的研究主題就是射頻電容式偶合電漿源系統的特性量測，使用Langmuir probe量測Ar及O2之電漿電位、電漿密度、電子溫度及均勻度。另外使用光譜分析儀（OES）分析氧氣電漿內部粒子與外在參數例如壓力、RF power的關係。以及探討Ar的加入對激發O2解離的效果。量測結果可使Ar電漿密度可達5 1010/cm3，電漿溫度大約在2eV~4eV之間，面積約在23公分間的電漿均勻度良好。