Abstract
本論文分為三個部份,包括1.電子元件(含BJT,MOSFET)在太空輻射環境下抗輻射的評估,亦即觀察電子元件在輻射照射前後之電特性變化情形,而以總劑量效應為依據並考慮劑量率和偏壓兩種因素做為量測參數. 2.靜態隨機存取記憶體之輻射總劑量研究,包括劑量率效應,偏壓效應以及溫度效應等. 3.利用退火處理的方法回復遭輻射傷害之已包裝積體電路的特性.在電子元件之抗輻射評估部份,藉由輻射照射MOSFET以觀察其轉導與起始電壓在輻射前後的變化;以及照射BJT來觀察其集極電流與共射極電流增益在輻射前後的變化.在靜態隨機存取記憶體(SRAM)之輻射效應研究中,說明輻射線造成SRAM工作特性衰退的原因.實驗方法則是藉由不同的輻射照射劑量率,偏壓以及溫度來觀察起始失誤與累積總劑量的關係;此外,藉由施予SRAM不同的偏壓與溫度條件也可用來評估對其抗輻射特性的影響.在處理積體電路之輻射傷害方面,則是在高溫爐管中通氮氣施予退火技術,來觀察IC元件的電特性參數在經過選擇適當的退火條件後,去除了IC的輻射傷害.並且如此的退火處理方式,並不會改變IC電子元件的抗性.