Abstract
隨著半導體技術的進步，元件的尺寸不斷縮小，根據2003年ITRS(International Technology Roadmap For Semiconductors Conference )的預測元件的1/2 Pitch未來將達到32 nm，傳統微影技術之解析度早因光波繞射與干射效應及基座的backscattering 而無法達其所求。在幾個解決方法中，奈米壓印微影技術由於符合了產業界高生產量和低成本考量要求所以將是未來解決微影技術問題發展重點。 本篇是第一個做奈米壓印微影技術研究的論文，分成四個部分：首先使用熱塑性的光阻─PMMA作熱壓印研究以初步了解壓印微影技術製程。第二部分為研究另一種塑造物─HSQ熱壓印實驗為主題，以尋求此材料最佳奈米壓印微影技術的製程條件。第三個部分利用HSQ附著力特性使用上述所實驗最好的奈米壓印技術製程條件，來作金線壓印轉換。 首先在PMMA熱壓印實驗方面，使用180um、120um、80um、40um、10um、4um、2um線寬模具以壓印壓力2.5MPa、壓印溫度130 oC來壓印。實驗結果顯示，40um以下線寬和模具線寬誤差率約2%，線寬愈大愈難壓印成型。HSQ 部分首先配合MIBK以2：1、4：5稀釋，可旋轉塗佈不同厚度。同樣地也使用壓印壓力2.5MPa、壓印溫度130 oC以70um、60um、50um、40um之模具熱壓印HSQ，以做HSQ熱壓印初步分析。最後更進一步研究奈米壓印微影技術以56nm之奈米尺寸模具，配合不同壓力及溫度之壓印條件在找到HSQ最佳的熱壓印條件為HSQ和MIBK稀釋比例4：5、預考溫度150 oC、壓印壓力2.5MPa壓印溫度180 oC，最後成功的完成十微米以上金線壓印轉換，而SEM 圖1~2微米及一百多奈米尺寸金線壓印也有部分轉印。