Abstract
經過這幾年許多研究發現，分子電子元件不但可以擁有類似固態半導體元件的電子特性，在尺寸上更是固態電子元件無法突破的，僅有幾十A。本實驗將透過一些常見的半導體製程，在Si3N4薄膜上製作一個開口約幾十個奈米的孔洞，一邊鍍上金之後，利用Octanethiol [CH3(CH2)7SH]分子上硫基和金的吸附，將分子置入孔洞中，再將另一面鍍上金。實驗目的渴望能夠從，金屬-絕緣體-金屬(Metal-Insulator-Metal，簡稱MIM)結構中，透過一些理論穿遂模型，試圖解釋電子在分子中的傳導行為，並且將理論方程式輸入Origin運算，將實驗量測I(V)做非線性逼近(Nonlinear Fitting)，獲得分子的 (Barrier Height)，d(Barrier Width)，以及用來代表位壘形式和電子有效質量的參數α，以便了解Octanethiol [CH3(CH2)7SH]的電性。