Abstract
本論文是在大氣中利用接觸式原子力顯微儀(AFM)，在Si(100)樣品上製作二氧化矽點陣結構，欲取代傳統半導體製程的方法，來製做出奈米級矽場發射源。我們改變不同的氧化參數如：氧化掃描速度、氧化偏壓、探針接觸力大小、及空氣濕度，以求得最佳的氧化條件。再輔以濕式蝕刻的方式製做出奈米級矽場發射源結構，接著再對所做出的結構作物性上的量測。我們在量測電流對電壓的關係時，所得到電流對電壓的關係曲線穩定且重複性高，利用F-N 公式做圖，我們可得知我們所做的奈米級矽場發射源結構場發射效應明顯，其有效功函數約為2.4eV，起始電場約為450V，電流密度約為12 mA/cm2，且電流密度大小與矽場發射源的面積成正比，此外在對其進行長時間場發射電流穩定性的量測時，發現其場發射電流也相當穩定。