Abstract
本論文利用真空蒸鍍聚合 (Vapor Deposition Polymerization, VDP) 法，製備奈米級聚亞醯胺（Polyimide, PI）薄膜，並探求無針孔（Pinhole Free）薄膜的膜厚極限。藉由量測hexafluoroiopropylidene-2,2-biphthalic anhydride（6FD A）、4,4’-oxydianiline（ODA）及naphtalene-1,4,5,8-tereacarboxylic acid dianhydride（NTCDA）的單體薄膜密度，及單體隨溫度變化之沉積速率，可得單體在化學計量為1時的共蒸鍍條件；所研製薄膜為6FDA-ODA及NTCDA-ODA兩種。改變製程條件，如單體對、導電基材、及單體沉積速率，均可有效影響薄膜無針孔良率（Pinhole Free Yield），並製備出膜厚90A，且完全無針孔的聚亞醯胺薄膜；而當膜厚為70 A時，無針孔良率為89%；膜厚為40A時，良率為34%；膜厚降至30A時，仍有11%的良率。