Abstract
本研究將合成的奈米級銀粒子與銀絲分別應用於量子點與透明導電膜上。利用奈米銀粒子的表面電漿共振現象，強化局部電場，達到量子點螢光強化的目的。量子點和奈米銀間隨著距離的不同，螢光增強的程度也隨之不同，本研究在水相中合成CdS、Cd0.3Pb0.7S和ZnS三種量子點，並利用溶膠凝膠法合成銀-二氧化矽核殼結構，藉由改變二氧化矽殼層厚度控制量子點與奈米銀間的距離，當兩者距離太遠時，銀的效果不明顯，螢光和純量子點未添加奈米銀粒子強度相近，若兩者距離太近，被激發的電子會被奈米銀粒子捕捉，無法再結合發出螢光，使螢光強度降低。此外，不同的量子點因為激發波長不同，螢光強化的效果亦會有不同影響，其中以Cd0.3Pb0.7S最佳，而ZnS螢光強度不但沒有增強反而消失。在奈米銀絲的製備研究中，利用PVP高分子-多元醇法合成出具高軸長比的銀絲，過程主要分為兩階段，第一階段利用[Cl-]/[Ag+]適當比例形成奈米銀絲的種子，第二階段藉由加入不同比例的[Cl-]/[Ag+]控制其粗細，氯離子的添加會影響銀離子被還原成銀的速率，進而影響型態及粗細。利用噴塗方式將不同尺寸的銀絲佈位於透明基板表面可製成透明導電塗層，細長銀絲組成的塗層透明導電性質較佳，表面電阻10Ω/sq的條件下，透光率達到80%以上。