Abstract
本研究係利用光電流法（CPM ）這種深信較光導法（PC）更為簡便的方法，來決定非晶質氫半導體帶隙間能階密度（DOS ）的分佈情形。根據Shockley-Read 的統計方法，仿照A.Rose對電子、電洞被捕捉（trapping）和再結合（recombination ）情形的描述，在定溫和高強度單色光照射，假設自由電子和自由的電洞的數目比值在不同光強度下均不變，而且電子和電洞的被捕捉截面積（c-apture cross section）對於任何能階而言都相同，亦即σn（ε）＝σn，σp （ε）＝σp ，如此可以推論光電流Ip∞（G）r。在較低的光吸收區域，因為αt ＜＜１，α是光吸收係數，t 是薄膜厚度，則G?η（１－R）α（E）F（E ）；η是量子效率（quantumn efficiency ），假設η和R 為常數，只要調整入射光的光子通量F （E ），使得光電流保持一定，如此可以得到絕對單位的α（E ），再配合光譜儀所量得的高吸收區域的α（E ），最後可以獲得在低吸收區域的真實的光吸收係數。最後，討論如何從α（E )得到DOS 。當E＜Eg ，電子主要是從帶隙間的能階激發至傳導帶，設若帶隙中間區域的能階是個多項式的分佈，而在靠近傳導和共價帶的區域階呈指數分佈，再假設基數（matrix element）等於常數，從光吸收係數的光譜，藉由計算機的計算，可以獲得帶隙間能階的DOS 分佈曲線。