Abstract
對於快閃式可擦拭、可寫入唯讀記憶體的發展而言，可靠性問題是一個重 要關鍵，尤其是元件經過了寫入擦拭循環後可靠性的衰減更需特別注意。 本篇論文將探討寫入/擦拭循環操作對快閃式可擦拭、可寫入唯讀記憶體 電荷流失之影響。 元件的寫入與擦拭分別採用熱電子入射(CHEI) 與源極端F-N穿隧(Source Side F-N Tunneling)，經由實驗，我們認為， 記憶元件經過10K次循環後，電荷流失量增加，這是由於循環過程中，陷 入ONO中氮矽化合物的電子數目增加所至。不同的源極端擦拭條件會對電 荷流失造成不同的影響，我們將提出一個最佳擦拭條件：控制閘極電壓 VCG=-12V，源極電壓VS=3V，此條件將使電洞陷入氧化層所引起的漏電與 氮矽化合物中陷入的電子數目減至最低，循環後的電荷流失量將最少。 電洞陷入氧化層對穿隧電流的影響，藉由模擬而得到進一步的了解，我們 發現，電洞陷入氧化層的位置，將影響穿隧電流增加的幅度，當一個電洞 陷入氧化層，氧化層電場EOX=10MV/cm時，穿隧電流最高將增加100倍以上 。