Abstract
本論文主要探討射頻(Radio Frequence)功率放大器(Power Amplifier)之散熱效能。射頻功率放大器為MCM-D(Multi-Chips Module-Deposited)構裝，其特色為晶片採用覆晶(Flip Chip, FC)型式焊於基板上，基板之連線線路乃利用半導體製程之薄膜技術製作。晶片為砷化鎵材質，導熱係數低，散熱不易。如何改善並設計散熱機制，以提昇可靠度，乃本論文之重點。
- Title
- 射頻功率放大器之散熱分析與設計
- Translated title
- 射頻功率放大器之散熱分析與設計
- Creators
- 陳富偉 (Author)
- Contributors
- 陳文華鄭仙志 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English