Abstract
本論文以射頻平面磁控濺鍍法製備氧化銦鋅IZO(In2O3-ZnO)薄膜，調整Ar壓力、基板轉速、基板與靶材之間距、濺鍍功率、及靶材成份等參數鍍膜，並以四點探針量測片電阻，霍爾量測分析自由載子濃度、移動率和電阻率，穿透光譜儀量測光穿透率，Alpha-step 250量測膜厚，X光繞射分析薄膜的結晶性及探討薄膜在不同的酸液中的蝕刻性。目的為探討濺鍍製程參數對IZO薄膜的光電特性及化學蝕刻性的影響。結果顯示IZO薄膜為非晶態(amorphous)且薄膜的平均透光率大於80%。隨Ar壓力的下降、濺鍍功率的增加可降低IZO薄膜的電阻率；基板轉速及基板與靶材之間距增加時可有較均勻的膜厚和電阻率分佈。不同靶材成份鍍膜時，以In2O3-ZnO(10wt% ZnO)有最低的電阻率，約為3 10-4 -cm。除了HCl及王水等強酸對IZO薄膜有良好蝕刻性外，草酸溶液之弱酸亦有不錯的蝕刻性質。