Abstract
本論文以射頻平面磁控濺鍍法製備氧化鋅鋁(AZO)薄膜，探討不同製程參數：鍍膜溫度，捕捉器及基板偏壓等對AZO薄膜電阻率及光穿透率分佈均勻性的影響。以四點探針量測片電阻，霍爾測試量測自由載子濃度和載子移動率，X光繞射儀分析結晶狀態，光譜儀量測可見光穿透率。 由實驗結果可知，在較低鍍膜溫度下，電阻率分佈出現試片中心高而邊緣低之現象，隨著溫度的增加電阻率分佈均勻性改善。在325 °C時，試片中心電阻率為3.7×10-3 Ω-cm，邊緣電阻率為9.1×10-4 Ω-cm。鍍膜時基板溫度維持在220 °C，將基板浮接並裝置離子捕捉器，試片中心電阻率為1.0×10-2 Ω-cm，邊緣電阻率為4.2×10-3 Ω-cm，電阻率分佈均勻性改善一些。鍍膜時基板溫度維持在220 °C，增加離子捕捉器，增大基板的偏壓可使電阻率均勻性得到很好的改善；其中以基板偏壓 -10 V時有最低之中心和邊緣電阻率分別為2.3×10-3 Ω-cm，1.2×10-3 Ω-cm。在可見光(400~800 nm)平均穿透率方面，不論是試片中心或邊緣及各種不同鍍膜參數得到之AZO薄膜都沒有太大的差異，皆有82%以上。 在鍍膜溫度145 °C，增加捕捉器，基板偏壓 -10V時可以得到試片中心電阻率為1.1×10-2 Ω-cm，邊緣電阻率為3.7×10-3 Ω-cm之AZO薄膜。此結果顯示裝置離子捕捉器配合適當的增大基板偏壓可以有效地在較低製程溫度，得到必須在高溫才能得到的良好電阻率分佈均勻性。