Abstract
研究矽晶片中晶體缺陷對少數載子復合和生成壽命長短的影響，經由少數載子壽命的長短可判斷晶體的缺陷程度。本實驗以矽氧化造成晶體缺陷；以磷離子植入gettering 去除缺陷。（phosphorus implantation gettering）。各種不同溫度的矽氧化對於少數載子壽命有不同的影響。我們發現氧化的溫度愈高，則少數載子的壽命愈短。經由以光導電率衰減（phococonductioity decay method）的方式和Zerbst method 所測得的少數載子壽命長短可得知，後於氧化過程再進得Gettering 所得的效果比先於氧化過程的gettering 所得效果好。以上述之兩種方式所得之結果相當吻合。於矽氧化溫度低於1100℃時的gettering 效果相當不錯，但高於1100℃，gettering 效果就差多了。於實驗中得知少數載子壽命因gettering 的效應而增加了40倍。以Wright蝕刻液來蝕刻出各種晶體缺隙，以驗證以少數載子壽命所得的分析結果的正確性，他們之間所得的結果相當吻合。