Abstract
在本論文研究中，利用相位攜帶材料訊息的特點應用p-n接面二維空間摻雜區域的擴散分析和摻雜區域位能之估計方面上，於是利用非干涉式的成像方法，即強度分佈傳遞方程來處理相位回復的問題。 □ 首先利用TIE/MEM相位回復技術應用在估計氧化鎂(MgO)的內位能方面，得到氧化鎂之平均內位能為 ＝13.86 eV，這個結果與電子全像術的結果：13.01 eV非常接近；同時與理論計算的結果也很符合，成功證明了TIE/MEM相位回復方法確實可以應用在相位定量的方向上，於是繼續把這個技術應用在p-n接面上。在佈植磷（P）的空白（blanket^試片中，經過運算後的相位分佈圖，其摻質擴散區域的深度約為30-40nm，其結果與佈植理論值是非常符合。 □ 經過氧化鎂與空白試片的實驗，證明TIE/MEM方法確實在相位回復工作上有不錯的結果。於是利用TIE/MEM相位回復技術應用在n-MOS試片中。分析n-MOS試片分析TIE/MEM經過運算後的相位分佈圖，其摻質擴散分佈區域明顯可見，摻雜擴散區域深度約為35nm。其結果與SIMS量測資料是非常符合。而摻質區域所造成的位能變化 為0.91 eV，根據電子全像術相關文獻，兩者的實驗結果非常接近。 □ 透過上述實驗，成功的將成像平面所記錄下的影像強度，利用強度傳遞方程透過最大熵法解捲得到在成像平面上的相位。利用相位分佈訊息，可以反應材料結構，如獲得摻質擴散區域，也可以應用在材料定量方面，如材料的內位能。這種相位回復技術已經i以得到和電子全像術相同的結果，且沒有電子全像術的缺點，於是TIE/MEM相位回復技術在電子顯微鏡應用上，應該會有很大的空間進步與發展。