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彎曲及電子照射對碳管場效電晶體電特性之影響
Thesis

彎曲及電子照射對碳管場效電晶體電特性之影響

傅崇豪
Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系
2006

Abstract

奈米碳管電晶體 CNTFET
我們使用商業販售的碳管粉末,利用旋塗的方式將碳管均勻地散佈在在製作完成的元件上,藉以完成奈米碳管電晶體。此一方式較長長式的碳管電晶體有著快速且製程簡化的優勢,將有利於我們的研究。 在利用局部厚氧化層造成奈米碳管不同彎曲程度對電晶體特性的影響上,我們觀察到不同彎曲成的碳管電晶體的確在電性上會有變化。當碳管在落差越大的結構而形成較大的彎曲,則會使得截止電流下降,我們觀察到大部分的元件on/off ratio皆可以到達五個數量級,但也會使得機械穩定度較低,也因為製程結構的因素會使得介電層EOT上升,Subthreshold Swing提高。 為了更了解碳管與外在環境作用的電性改變現象,我們以低電壓電子束0.7 kV,來照射奈米碳管,觀察電性上的變化。我們觀察到金屬性的奈米碳管在照射低電壓電子束後會有導電性下降的趨勢,而可以在退火後恢復其導電度,或者在室溫長期放置也可以恢復金屬性碳管的導電度。對於半導性的奈米碳管在照射後,場效特性降低,無法開關電晶體,而退火後雖然導電度可以回升,但是卻無法回覆原本的開關特性。

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