Abstract
微波加熱法是利用一種可吸收微波並將微波能量轉換為熱能的材料（如SiC），以達到局部或全面積均勻加熱的效果。除此之外也可以利用此加熱法進行溫控的動作。因為目前奈米碳材的主流為熱裂解化學氣相沉積法，此法具有升降溫過程緩慢與大面積加溫不易均勻等缺點，而微波加熱法則可有效的改善上述缺點，進而達到快速加熱、局部加熱、大面積加熱與量產的目的。 本研究是先利用程式的撰寫來模擬微波加熱碳化矽的單一節點情況，進而推廣多節點分析模式，由程式的模擬結果，去分析碳化矽吸收微波熱量後的一些性質變化，例如：導電性和導熱性會因碳化矽溫度上升而造成改變，此外微波加熱時間的增減會造成碳化矽內部溫度的變化與分佈，藉此可以了解到微波加熱的時間與碳化矽溫度變化的關係，微波電場強度的大小與碳化矽溫度變化的關係。利用模擬的結果來進行研究探討，以找出碳化矽吸收微波熱量的溫度限制，避免碳化矽因吸收微波熱量，溫度的急遽上升，超過碳化矽本身所具有的熔點溫度，而造成碳化矽的損壞。