Abstract
本實驗採用微波加熱化學氣相沉積法(microwave enhanced chemical vapor deposition)成長奈米碳管，主要可分為兩部分：(1) 成長奈米碳管，找出較適合成長碳管的條件，並研究其結構與場發射特性； (2)將基板經過適當的處理，以成長排列之奈米碳管。結果顯示以鐵、鈷、鎳為催化劑皆可長出奈米碳管；催化劑濃度越高，奈米碳管越多；而其中以鐵的催化效果最好，得到較純、較多的碳管；TEM分析得知成長的奈米碳管為中空多層石墨結構。場發射電流量測得知以2 M硝酸鐵溶液為催化劑所成長的奈米碳管，當電場為6.47 V/mm時，其場發射電流密度可達20000 mA/cm2，足以使用於場發射顯示器元件。另外，利用鋁膜之陽極處理孔洞作為成長排列碳管基地方面，不論先預鍍催化劑或陽極處理後再浸泡催化劑皆可成長奈米碳管，但因鋁膜厚度不足，並無法長出排列之奈米碳管。最後改變SiC載具排列方式以降低溫度，而得到與熱流方向垂直排列的奈米碳管。