Abstract
我們利用微波電漿輔助化學氣相沈積系統（MPE-CVD），已經成功的成長出奈米級類鑽石尖端結構（Diamond Like Carbon Nanotip），在論文中將藉著改變鍍膜成長時間、偏壓大小、濃度大小、基板溫度變化以及氣體種類，來觀察nanotip在不同的參數下，所造成的影響，進一步了解nanotip的成長模式與機制，以達到可控制nanotip成長的密度和成長速率，實驗數據顯示成長最好的nanotip 其平均直徑：26.3nm，密度：386個/mm2。由歐傑電子能譜儀（AES）分析基板Si和DLC膜之間矽和碳的元素分佈可知，在Si和DLC膜間有一層SiC介面層，在不同的成長條件下，可改變SiC層的大小，進而改善其場發射的特性。