Abstract
原先自行組裝開發射低壓化學氣相沈積氮化鈦設備，反應腔為熱壁式RTA爐管，使用TiC14和 NH3為反應源，為了改善其沉積溫度過高的缺點，在原反應腔進氣端處加裝一2.45-GHz的微波源，將反應氣體游離變成活化物，降低沉積溫度，利用電阻率、歐傑電子能譜（AES）、X光繞射（XRD）、掃描式電子顯微鏡（SEM）、二次質譜分析議（SIMS）等量測儀器了解薄膜的化學組成、結晶情形、步階覆蓋、表面地形等，探討薄膜性質並尋找最佳沉積條件應用在 AL/TiN/N+-P 的接觸結構上，經過不同溫度的熱處理後，了解薄膜在實際應用的熱穩定性。 在薄膜性質的研究結果上，對寬為0.3-μm和深為0.73-μm的接觸洞（AR=2.4）可達92%的邊牆及底部的步階覆蓋率，且薄膜呈不連續的柱狀晶粒排列覆蓋於步階上，有助於擴散擬障擬的效果；在接觸結構的應用上，在500℃配合576W 的微波功率沉積 500A的氮化鈦薄膜於 AL/TiN/N+-P的接觸結構上，經過500℃/30-min的熱處理後，在3-V的反向偏壓下，仍然相當穩定，未見漏電流明顯上升。